1、雙向晶閘管，作為一種重要的電力電子器件，其正向轉折電壓通常設定在400V左右，這意味著當電壓超過此值時，晶閘管將從阻斷狀態(tài)轉變?yōu)閷顟B(tài)，而其反向擊穿電壓則通常設定為600V，這是指在反向電壓作用下，晶閘管能夠承受的最大電壓值。

2、值得注意的是，控制極二極管的特性并不理想，其反向特性并非完全阻斷，允許較大的電流通過，控制極反向電阻較小，并不一定意味著控制極特性不佳，在測量控制極正反向電阻時，建議使用萬用表的R×10或R×1擋位，以防止因電壓過高而導致控制極反向擊穿。

3、當陽極電壓達到UV(B0)時，晶閘管將擊穿導通進入負阻區(qū)，同樣，當陽極電壓大于反向轉折電壓V(BR)時，晶閘管也會進入負阻區(qū)，轉折電壓的對稱性用△V(B)表示，一般△V(B)應小于2伏。

4、對于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測量其觸發(fā)能力時，可以在萬用表的某支表筆上串接1~3節(jié)5V干電池，然后使用R×1檔位進行測量，對于耐壓在400V以上的雙向晶閘管，也可以使用220V交流電壓來測試其觸發(fā)能力及性能。

5、以晶閘管BT136為例，其觸發(fā)電壓為5伏，當DB3導通后，電壓會迅速下降，但不會導致可控硅擊穿，下面是一個雙向可控硅調壓直流雙路電源電路，其中整流橋的耐壓為500伏，電流為2安培。

6、雙向晶閘管由兩個PN結組成，當陽極與陰極之間加正向電壓時，中間的PN結處于反向偏置，因此晶閘管不會導通，晶閘管的主電路由陽極、陰極和電源組成，控制電路由門極和控制裝置組成。

雙向可控硅控制原理的闡述

雙向可控硅，又稱雙向晶閘管，相當于兩個單向可控硅反向并聯(lián)，理論上，它可以控制直流電，因為其能夠雙向導通，由于一旦導通，直流信號將持續(xù)存在，可控硅無法在電流過零時自然關斷，因此雙向可控硅在實際操作中只能控制其導通狀態(tài)，而無法直接控制其關斷。

雙向可控硅由三層半導體結構組成，具有對稱特性，允許電流在兩個方向上流動，通過控制門極電壓，可以改變半導體中的導電通道，使可控硅在正反向電壓下都能導通，它可以被用作開關元件，控制電流的通斷。

使用MOC3020光耦直接控制雙向可控硅非常簡單，具體方法是在可控硅的A1與G極之間串聯(lián)一個180歐左右的電阻，然后將此電阻連接到光耦的6腳上，這樣設計的目的是確保在光耦的2腳無驅動電流時，6腳之間處于斷路狀態(tài)，從而使可控硅不會導通。

由于BG1和BG2構成的正反饋機制，可控硅一旦導通便能夠自行維持導通狀態(tài)，即使控制極G的觸發(fā)信號消失，這種可控硅被稱為不可關斷的，可控硅表現(xiàn)出開關特性，它只有兩種狀態(tài)：導通和關斷。

雙向可控硅的驅動電壓受觸發(fā)脈沖控制，通過調整觸發(fā)角的大小，實現(xiàn)對直流電機的調速控制，與單向可控硅相比，雙向可控硅的控制極接受交流觸發(fā)電壓，該電壓由R2和R3分壓后提供，光耦合器在此處充當無觸點開關，其作用是控制可控硅的導通，從而啟動或停止負載。

雙向可控硅的工作原理主要體現(xiàn)在其獨特的正反饋機制和導通控制上，這種元件由P1N1P2N2四層結構組成，本質上相當于一個PNP管和一個NPN管的組合，當陽極A加上正向電壓，兩個管子BG1和BG2分別處于放大狀態(tài)。

雙向可控硅導通條件的探討

晶閘管（可控硅）要實現(xiàn)導通，必須滿足兩個條件：晶閘管（可控硅）陽極與陰極之間需要施加正向電壓；控制極也需施加正向電壓，這兩個條件必須同時滿足，晶閘管（可控硅）才會進入導通狀態(tài)，一旦導通，即便降低或移除控制極電壓，晶閘管（可控硅）依然保持導通。

可控硅導通條件：可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，控制極也要加正向電壓，可控硅一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導通，單向可控硅有陰極、陽極、控制極，雙向可控硅有TTG極；任測兩個極，若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。

截止狀態(tài)的維持需要滿足一定條件，即當通過T1和T2極的電流小于“維持電流”時，雙向可控硅將自動從導通狀態(tài)切換至截止狀態(tài)，這表明在導通狀態(tài)下的可控硅，只要其電流降至一定閾值以下，便不再維持導通，進入截止狀態(tài)，正確地控制電流的大小對于確保雙向可控硅的有效工作至關重要。

雙向晶閘管導通條件：一是晶閘管（可控硅）陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓，以上兩個條件必須具備，晶閘管（可控硅）才會處于導通狀態(tài)，晶閘管（可控硅）一旦導通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，晶閘管（可控硅）仍然導通。

可控硅的導通的條件：兩級有電壓，G極有觸發(fā)信號，兩者缺一不可，光耦控制端加1高電平時，光耦導通，兩個電阻RR10和光耦形成回路，在交流電過零點時，G極可得到一個低電平觸發(fā)信號，在交流的半個周期內導通1次，1個周期導通2次，RR10是用來保護光耦的。

具體接線方式可以是：將T1連接到電源，T2連接到負載；或者將T2連接到電源，T1連接到負載，關鍵在于門極G需要正確施加觸發(fā)信號，無論哪種接線方式，只要門極G與T1或T2之間的電壓達到觸發(fā)閾值，可控硅就能正常工作，值得注意的是，雙向可控硅的導通不僅依賴于門極G的觸發(fā)，還需要陽極電流超過某個閾值。

軟啟動器晶閘管反并聯(lián)的原因分析

軟啟動器中常用晶閘管反并聯(lián)的方式，主要是為了提高晶閘管的可靠性和穩(wěn)定性，并避免晶閘管的集中過載和故障。

軟啟動器通過使用三相反并聯(lián)晶閘管作為調壓器，將電源與電動機定子相連，實現(xiàn)電動機平滑啟動，降低啟動電流，避免啟動過流跳閘，在啟動過程中，晶閘管的輸出電壓逐漸增加，電動機逐漸加速，直至晶閘管全導通，電動機運行在額定電壓的機械特性上。

軟啟動器的工作原理是，采用三相反并聯(lián)晶閘管作為調壓器，將其接入電源和電動機定子之間，這種電路如三相全控橋式整流電路，使用軟啟動器啟動電動機時，晶閘管的輸出電壓逐漸增加，電動機逐漸加速，直到晶閘管全導通，電動機工作在額定電壓的機械特性上，實現(xiàn)平滑啟動，降低啟動電流，避免啟動過流跳閘。

兩個反向并聯(lián)的晶閘管能否實現(xiàn)全控型控制通斷的探討

<p>1、反向并聯(lián)的晶閘管，在交流電路中，不管什么時候，都會有一個管子是正向壓降，一個是反向壓降，只要同時給兩個管子一模一樣的觸發(fā)信號，肯定有一個可以導通，一個管子只通過一個半波。</p><p>2、門極可關斷晶閘管（GTO）是一種晶閘管的衍生器件，具有全控性，能夠在門極施加負脈沖后實現(xiàn)關斷，與普通晶閘管相同，GTO也由PNPN四層結構構成，并擁有陽極、陰極及門極三個引腳，GTO與普通晶閘管具有相似的工作條件，并且廣泛應用于兆瓦級以上的高功率場合。</p><p>3、半控型器件：