區(qū)別概述：

（1）DDR3L與DDR3都是頻率為1600MHz的內(nèi)存類型，但DDR3L是低電壓版，而DDR3是標(biāo)準(zhǔn)電壓版。

（2）DDR3L與DDR3內(nèi)存相互兼容，可在雙通道模式下正常工作。DDR3L內(nèi)存的SPD芯片包含支持電壓的數(shù)據(jù)，可根據(jù)芯片組的內(nèi)存插槽支持自適應(yīng)的工作電壓。

關(guān)于DDR3內(nèi)存：

DDR3是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格，屬于SDRAM家族的產(chǎn)品。相較于DDR2 SDRAM，它提供了更高的運(yùn)行效能與更低的電壓。DDR3內(nèi)存的高帶寬同時降低了功耗，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V。預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，DDR3將比現(xiàn)有的DDR2節(jié)省30%的功耗。對比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗表現(xiàn)優(yōu)異。參考資料來源于百度百科。

關(guān)于DDR4內(nèi)存：

外觀方面，DDR4內(nèi)存條外觀變化明顯，金手指變?yōu)閺澢鸂?，意味著DDR4內(nèi)存不再兼容DDR3。除非將CPU和主板都更換為新平臺，否則老平臺電腦無法升級DDR4內(nèi)存。頻率方面，DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達(dá)到了3000。從內(nèi)存頻率看，DDR4相比DDR3有顯著提升。DDR4內(nèi)存容量提升明顯，單條容量最大可以達(dá)到128GB。在功耗方面，DDR4內(nèi)存的電壓達(dá)到1.2V甚至更低，明顯低于上一代DDR3內(nèi)存的1.5V標(biāo)準(zhǔn)電壓。

如何挑選內(nèi)存條：

1. 確保選擇的內(nèi)存類型正確。內(nèi)存分為DDR2、DDR3和DDR4三種類型，三種類型的內(nèi)存互不兼容。購買前一定要確認(rèn)主板支持的內(nèi)存類型。

2. 選擇原廠顆粒的內(nèi)存條。內(nèi)存顆粒直接關(guān)系到內(nèi)存容量和體制的好壞，好的內(nèi)存必須有優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存顆粒作為保證。

3. 注意SPD隱藏信息。SPD信息非常重要，能夠直觀反映內(nèi)存的性能和體制。它存儲著內(nèi)存可以穩(wěn)定工作的指標(biāo)信息以及產(chǎn)品的生產(chǎn)、廠家等信息。

4. 根據(jù)需求選擇合適的容量和頻率。內(nèi)存容量不僅影響價格，還影響整機(jī)系統(tǒng)性能。如今，沒有8GB左右的內(nèi)存可能無法保證操作的流暢性。

關(guān)于DDR3顯存：

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進(jìn)版，二者有很多相似之處，例如采用1.8V標(biāo)準(zhǔn)電壓和主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。DDR3顯存采用0.11微米生產(chǎn)工藝和“Pseudo Open Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。雖然DDR3顯存的延遲時間相對較長，但其性能優(yōu)勢仍比較明顯。例如功耗和發(fā)熱量較小，工作頻率更高，可降低顯卡整體成本，且通用性好。目前，DDR3顯存在大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛應(yīng)用。

ddr3l和ddr3的區(qū)別在于功耗、性能和價格方面的差異：

1. 功耗方面，標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存采用1.5V工作電壓，而DDR3L內(nèi)存則采用更低的1.35V工作電壓。在實(shí)際應(yīng)用中，DDR3L內(nèi)存可以節(jié)省一定的功耗。

2. 性能方面，雖然DDR3L內(nèi)存的功耗更低，但其性能相較于DDR3標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存有所降低。但通過測試，兩者的性能差距并不顯著。

3. 價格方面，DDR3L內(nèi)存通常比DDR3標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存更為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。內(nèi)存的分類

內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種。DRAM，即動態(tài)隨機(jī)存儲器，其主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時說的內(nèi)存就是指這一種。ROM，即只讀存儲器，我們平時開機(jī)首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。

DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由于最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從800Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

DDR3L其實(shí)這里后面的L是LowVoltage的縮寫，DDR3L全稱是DDR3LowVoltage，也就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3內(nèi)存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。